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电子元器件详细资料 » IC[27640] » SI6975DQ-T1-E3
型号:SI6975DQ-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)描述:MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C27 毫欧 @ 5.1A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222450mV @ 5mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs30nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大830mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装8-TSSOP
包装带卷 (TR)

供应商

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SI6975DQ-T1-E3相关型号

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